မင်္ဂလာပါ guest ည့်သည်

ဆိုင်းအင်လုပ်ခြင်း / စာရင်း

Welcome,{$name}!

/ logout
မြန်မာ
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriKongeriketМонголулсO'zbekTiếng ViệtहिंदीاردوKurdîCatalàBosnaEuskera‎العربيةفارسیCorsaChicheŵaעִבְרִיתLatviešuHausaБеларусьአማርኛRepublika e ShqipërisëEesti Vabariikíslenskaမြန်မာМакедонскиLëtzebuergeschსაქართველოCambodiaPilipinoAzərbaycanພາສາລາວবাংলা ভাষারپښتوmalaɡasʲКыргыз тилиAyitiҚазақшаSamoaසිංහලภาษาไทยУкраїнаKiswahiliCрпскиGalegoनेपालीSesothoТоҷикӣTürk diliગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail ကို:Info@Y-IC.com
နေအိမ် > သတင်း > CEA-LetiCEO - SOI သည် AI ၏အစွမ်းကုန်ကမကထပြုသူဖြစ်လာလိမ့်မည်

CEA-LetiCEO - SOI သည် AI ၏အစွမ်းကုန်ကမကထပြုသူဖြစ်လာလိမ့်မည်

ကျဉ်းမြောင်းသောဖြစ်စဉ်ကြောင့်လျှပ်ကာအလွှာ၏အထူသည်ပိုမိုပါးလွှာလာပြီးတံခါးပေါက်ယိုစီးမှုသည် IC ဒီဇိုင်းအဖွဲ့ရင်ဆိုင်နေရသောအခက်ခဲဆုံးပြoneနာတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ ဤပြproblemနာကိုတုန့်ပြန်သောအားဖြင့်လျှပ်ကာအလွှာရှိ SOI ပစ္စည်းများသို့ပြောင်းလဲခြင်းသည်ထိရောက်သောဖြေရှင်းနည်းတစ်ခုဖြစ်သော်လည်းဤဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းအားထောက်ပံ့သောအဓိကတွေ့ရှိချက်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သော GlobalFoundries သည်အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များဖွံ့ဖြိုးမှုကိုရပ်တန့်မည်ဟုကြေငြာခဲ့သည်။ ထို့ကြောင့် SOI စခန်းသည်ဂေဟစနစ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုမြှင့်တင်ရန်ပိုမိုကြိုးစားရမည်။ SOI ပစ္စည်းများတီထွင်သူအဖြစ်ပြင်သစ်သုတေသနဌာန CEA-Leti သည် SOI ဂေဟစနစ်၏ကောင်းမွန်သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုမြှင့်တင်ရန်အရေးကြီးပုံကိုကောင်းစွာသတိပြုမိသည်။ Edi AI ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းသည် SOI နည်းပညာအတွက်နေရာများစွာဖန်တီးပေးလိမ့်မည်။

CEA-Leti ၏စီအီးအို Emmanuel Sabonnadiere က SOI နည်းပညာသည် FD-SOI မှယုတ္တိဗေဒနှင့် analog circuits များအတွက် RF အစိတ်အပိုင်းများအတွက် RF အစိတ်အပိုင်းများအတွက် RF အစိတ်အပိုင်းများနှင့် power semiconductor applications များအတွက်အမျိုးမျိုးသောမျိုးကွဲများရှိသည်ဟုပြောကြားခဲ့သည်။ -SOI, SOI ပစ္စည်းများသည်ကျယ်ပြန့်သော application များတွင်အသုံးပြုသည်။ STMicroelectronics (ST), NXP, Nisse နှင့် Samsung ကဲ့သို့သော semiconductor ကုမ္ပဏီများမှအသုံးပြုသည်။

Gexin သည်အဆင့်မြင့်အဆင့်မြင့်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအားရပ်တန့်မည်ဟုမကြာသေးမီကကြေငြာခဲ့သော်လည်း CEA-Leti နှင့် SOI ဂေဟစနစ်တွင်ပါ ၀ င်သူများစွာသည် SOI ဖြစ်စဉ်များ၏သေးငယ်သောအဆင့်အတန်းကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့်အခြားနည်းပညာအသစ်များဖြစ်သည့် embedded non-volatile memory SOI ကိုရှေ့သို့ရွေ့ရန်ဒီဇိုင်းသစ်ကိရိယာများနှင့်ပေါင်းစပ်ပါ။

အစွန်း AI ချစ်ပ်များသည် SOI ဖြစ်စဉ်များကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ရန်အလွန်သင့်တော်သည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော်အစွန်း AI ချစ်ပ်များသည်စွမ်းအားမြင့် / စွမ်းဆောင်ရည်အချိုးအစားလိုအပ်ချက်များရှိပြီးမကြာခဏဆိုသလို algorithm များနှင့်အာရုံခံကိရိယာများပေါင်းစပ်ခြင်းကြောင့် SOI အသွင်အပြင်များနှင့်အားသာချက်များနှင့်ဆက်စပ်နေသည်။ ရုံတန်းစီ။ ထို့အပြင် FinFET နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက FD-SOI တွင်အရေးကြီးသောအင်္ဂါရပ်တစ်ခုရှိပြီးယုတ္တိဗေဒဆားကစ်များ၏လည်ပတ်မှုကိုပုံမှန်ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ FinFETs နှင့်မတူဘဲဒီဇိုင်းအဆင့်တွင်စွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်ခြင်းနှင့်စွမ်းအင်နိမ့်ခြင်းတို့အကြားအပေးအယူလုပ်ရန်လိုအပ်သည်။ ၎င်းသည် analog circuit design ကိုရိုးရှင်းစေရန်အတွက်ကြီးမားသောအားသာချက်များကိုရရှိနိုင်သည်။

သို့သော်ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းသည်နောက်ဆုံးတွင်၎င်းကိုထောက်ပံ့ရန်စီးပွားရေးအတိုင်းအတာလိုအပ်သည့်စက်မှုလုပ်ငန်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ကောင်းမွန်သောဂေဟစနစ်မရှိလျှင်နည်းပညာဆိုင်ရာလက္ခဏာများသည်သာလွန်ကောင်းမွန်သော်လည်းစီးပွားဖြစ်အောင်မြင်မှုရရှိရန်ခက်ခဲသည်။ ထို့ကြောင့်အနာဂတ်တွင် CEA-Leti သည် SOI လုပ်ငန်းစဉ်၏အသုံးချမှုကိုပိုမိုလူကြိုက်များစေရန်မိတ်ဖက်များနှင့်အတူအထောက်အကူပြုနည်းပညာများပိုမိုထုတ်ပေးလိမ့်မည်။